ஆஃபினியம் டைசல்பைடு
| |
| |
| பெயர்கள் | |
|---|---|
| ஐயூபிஏசி பெயர்
ஆஃபினியம் டைசல்பைடு
| |
| இனங்காட்டிகள் | |
18855-94-2 
| |
| ChemSpider | 8374205
|
InChI
| |
| யேமல் -3D படிமங்கள் | Image |
| பப்கெம் | 101811522 |
| |
| பண்புகள் | |
| HfS2 | |
| வாய்ப்பாட்டு எடை | 246.62 கி/மோல்[1] |
| தோற்றம் | பழுப்பு நிற திண்மம் |
| அடர்த்தி | 6.03 கி/செ.மீ3[1] |
| Band gap | ~1.8 eV (மறைமுகம்)[2] |
| கட்டமைப்பு | |
| படிக அமைப்பு | hP3, P3m1, No 164[3] |
| Lattice constant | a = 0.363 நானோமீட்டர், c = 0.584 நானோமீட்டர் |
| தொடர்புடைய சேர்மங்கள் | |
| ஏனைய எதிர் மின்னயனிகள் | ஆஃபினியம் டையாக்சைடு |
| ஏனைய நேர் மின்அயனிகள் | தங்குதன் டைசல்பைடு மாலிப்டினம் டை சல்பைடு |
மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும் பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். | |
ஆஃபினியம் டைசல்பைடு (Hafnium disulfide) என்பது HfS2 என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிம வேதியியல் சேர்மமாகும். ஆஃபினியம் மற்றும் கந்தகம் ஆகிய இரண்டு தனிமங்களும் சேர்ந்து உருவாகும் இச்சேர்மத்தை ஆஃபினியம் இருசல்பைடு என்றும் அழைக்கலாம். ஆஃபினியம் டைசல்பைடு சேர்மம் ஓர் அடுக்கு டைசால்கோசெனைடு என்று வகைப்படுத்தப்படுகிறது. இவ்வேதிப் பொருளின் சில அணு அடுக்குகளை நிலையான சிகாட்ச் பட்டை நுட்பத்தைப் பயன்படுத்தி உரித்துப் பிரிக்க முடியும். புல விளைவு திரிதடையத்தை உருவாக்குவதற்குப் பயன்படுத்தலாம்[4]. நீர்ம நிலை பிரித்தெடுத்தலைப் பயன்படுத்தி ஆஃபினியம் டைசல்பைடு அதிக அளவில் தயாரித்தல் முறையை விளக்க முடியும். இம்முறையில் நிலையான ஆஃபினியம் டைசல்பைடு செதில்கள் உருவாகின்றன[5] 500 முதல் 1300 பாகை செல்சியசு வெப்பநிலையில் ஐதரசன் சல்பைடையும் ஆஃபினியம் ஆக்சைடையும் வினைபுரியச் செய்தால் ஆஃபினியம் டைசல்பைடு தூளையும் தயாரிக்கலாம்[6]..
மேற்கோள்கள்
[தொகு]- ↑ 1.0 1.1 Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.66. பன்னாட்டுத் தரப்புத்தக எண் 1439855110.
- ↑ Terashima, K.; Imai, I. (1987). "Indirect absorption edge of ZrS2 and HfS2". Solid State Communications 63 (4): 315. doi:10.1016/0038-1098(87)90916-1. Bibcode: 1987SSCom..63..315T. https://archive.org/details/sim_solid-state-communications_1987-07_63_4/page/315.
- ↑ Hodul, David T.; Stacy, Angelica M. (1984). "Anomalies in the properties of Hf(S2−xTex)1-y and Hf(Se2−xTex)1-y near the metal-insulator transition". Journal of Solid State Chemistry 54 (3): 438. doi:10.1016/0022-4596(84)90176-2. Bibcode: 1984JSSCh..54..438H.
- ↑ Kanazawa, Toru; Amemiya, Tomohiro; Ishikawa, Atsushi; Upadhyaya, Vikrant; Tsuruta, Kenji; Tanaka, Takuo; Miyamoto, Yasuyuki (2016). "Few-layer HfS2 transistors". Scientific Reports 6: 22277. doi:10.1038/srep22277. பப்மெட்:26926098. Bibcode: 2016NatSR...622277K.
- ↑ Kaur, Harneet (2017). "High Yield Synthesis and Chemical Exfoliation of Two-Dimensional Layered Hafnium Disulphide". Nano Research. doi:10.1007/s12274-017-1636-x.
- ↑ Kaminskii, B. T.; Prokof'eva, G. N.; Plygunov, A. S.; Galitskii, P. A. (1973-07-01). "Manufacture of zirconium and hafnium sulfide powders". Soviet Powder Metallurgy and Metal Ceramics 12 (7): 521–524. doi:10.1007/BF00796747.
