உள்ளடக்கத்துக்குச் செல்

ஆஃபினியம்(IV) நைட்ரேட்டு

கட்டற்ற கலைக்களஞ்சியமான விக்கிப்பீடியாவில் இருந்து.
ஆஃபினியம்(IV) நைட்ரேட்டு
பெயர்கள்
வேறு பெயர்கள்
ஆஃபினியம் டெட்ராநைட்ரேட்டு
இனங்காட்டிகள்
15509-05-4
ChemSpider 146363
EC number 239-536-7
InChI
  • InChI=1S/Hf.4NO3/c;4*2-1(3)4/q+4;4*-1
    Key: TZNXTUDMYCRCAP-UHFFFAOYSA-N
யேமல் -3D படிமங்கள் Image
பப்கெம் 167292
  • [N+](=O)([O-])[O-].[N+](=O)([O-])[O-].[N+](=O)([O-])[O-].[N+](=O)([O-])[O-].[Hf+4]
பண்புகள்
Hf(NO3)4
வாய்ப்பாட்டு எடை 426.53 கி/மோல்
தோற்றம் வெண் படிகங்கள்
மிதமாகக் கரையும்[1]
தீங்குகள்
GHS குறியீடு:
விளக்கப்படங்கள்
GHS03: OxidizingThe exclamation-mark pictogram in the Globally Harmonized System of Classification and Labelling of Chemicals (GHS)
குறியீட்டுச் சொல்
அபாயம்
இடர் அறிக்கைகள்
H272, H315, H319, H335
முன்னெச்சரிக்கை அறிக்கைகள்
P210, P220, P221, P305, P338, P405, P501
வேறுவிதமாகக் கொடுக்கப்பட்டிருந்தாலன்றி
தரவுகள் பொருள்களின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில்
(25 °C [77 °F], 100 kPa) கொடுக்கப்பட்டுள்ளன.

ஆஃபினியம்(IV) நைட்ரேட்டு (Hafnium(IV) nitrate) என்பது Hf(NO3)4.[2][3][4] என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிம வேதியியல் சேர்மமாகும். ஆஃபினிமும் நைட்ரிக் அமிலமும் சேர்ந்து இந்த உப்பு உருவாகிறது.

தயாரிப்பு

[தொகு]

ஆஃபினியம் டெட்ராகுளோரைடும் டைநைட்ரசன் பெண்டாக்சைடும் சேர்ந்து வினைபுரிவதால் ஆஃபினியம்(IV) நைட்ரேட்டு உருவாகிறது.[5]

பண்புகள்

[தொகு]

ஆஃபினியம்(IV) நைட்ரேட்டு சிறிதளவு ஆவியாகும். 0.1 மி.மீட்டர் பாதரச அழுத்தத்தில் 110 பாகை செல்சியசு வெப்பநிலையில் இது பதங்கமாகும்.[6] ≥160°செல்சியசு வெப்பநிலையில் ஆஃபினியம்(IV) நைட்ரேட்டு முதலில் HfO(NO3)2 ஆகவும் பின்னர் HfO2.[6] ஆகவும் சிதைவடைகிறது.

பயன்கள்

[தொகு]

ஆஃபினியம் (IV) ஆக்சைடு கொண்ட பொருட்கள் தயாரிக்க ஆஃபினியம் (IV) நைட்ரேட்டு பயன்படுத்தப்படுகிறது.[6]

மேற்கோள்கள்

[தொகு]
  1. "Hafnium Nitrate (CAS: 15509-05-4) | Stanford Advanced Materials" (in ஆங்கிலம்). samaterials.com. Retrieved 29 October 2021.
  2. "Hafnium(IV) nitrate". Sigma Aldrich. Retrieved 29 October 2021.
  3. "Hafnium Nitrate". American Elements. Retrieved 29 October 2021.
  4. The Metallurgy of Hafnium (in ஆங்கிலம்). Naval Reactors, Division of Reactor Development, U.S. Atomic Energy Commission. 1960. p. 31. Retrieved 29 October 2021.
  5. Zhuang, Weiwei; Conley, John F.; Ono, Yoshi; Evans, David R.; Solanki, R. (January 2002). "Hafnium Nitrate Precursor Synthesis and HfO2 Thin Film Deposition". Integrated Ferroelectrics 48 (1): 3–12. doi:10.1080/10584580215449.
  6. 1 2 3 Conley, J. F.; Ono, Y.; Zhuang, W.; Tweet, D. J.; Gao, W.; Mohammed, S. K.; Solanki, R. (2002). "Atomic Layer Deposition of Hafnium Oxide Using Anhydrous Hafnium Nitrate" (in en). Electrochemical and Solid-State Letters 5 (5): C57. doi:10.1149/1.1462875. பன்னாட்டுத் தர தொடர் எண்:1099-0062. https://iopscience.iop.org/article/10.1149/1.1462875. பார்த்த நாள்: 29 October 2021.
"https://ta.wikipedia.org/w/index.php?title=ஆஃபினியம்(IV)_நைட்ரேட்டு&oldid=4210927" இலிருந்து மீள்விக்கப்பட்டது