போரான் பாசுபைடு
| |
| இனங்காட்டிகள் | |
|---|---|
20205-91-8 
| |
| பப்கெம் | 88409 |
| பண்புகள் | |
| BP | |
| வாய்ப்பாட்டு எடை | 41.7855 கி/மோல் |
| தோற்றம் | அரக்குச்சிவப்பு நிறத்துகள் |
| அடர்த்தி | 2.90 கி/செமீ3 |
| உருகுநிலை | 1,100 °C (2,010 °F; 1,370 K) |
| Band gap | 2.1 eV (indirect, 300 K)[1] |
| வெப்பக் கடத்துத்திறன் | 4 W/(cm·K) (300 K) |
| ஒளிவிலகல் சுட்டெண் (nD) | 3.0 (0.63 µm)[1] |
| கட்டமைப்பு | |
| படிக அமைப்பு | துத்தநாக மயக்கி படிகவமைப்பு |
| புறவெளித் தொகுதி | F43m |
| ஒருங்கிணைவு வடிவியல் |
நான்முகம் |
மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும் பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். | |
போரான் பாசுபைடு (Boron phosphide) என்பது BP என்ற மூலக்கூறு வாய்பாடுடன் கூடிய போரான் மற்றும் பாசுபரசு சேர்ந்த வேதிச் சேர்மமாகும். போரான் துணை பாசுபைடில் (B12P2) இருந்து இதை வேறுபடுத்தி அறிய "போரான் ஒற்றைபாசுபைடு" (boron monophosphide) என்றும் குறிப்பிடப்படுகிறது. போரான் பாசுபைடு ஒரு குறைகடத்தியாகும்.[2]
வரலாறு
[தொகு]1891 ஆம் ஆண்டின் முற்பகுதியில் [3]அம்பிரி டேவி போரான் பாசுபைடு படிகங்களைக் கண்டறிந்தார்.
தோற்றம்
[தொகு]தூய்மையான போரான் பாசுபைடு முழுவதுமாக ஒளி ஊடுருவும் தன்மையுடன் காணப்படுகிறது. இதிலுள்ள எதிர்மின் வகை படிகங்கள் ஆரஞ்சு சிவப்பிலும் நேர்மின் வகை படிகங்கள் அடர்சிவப்பு நிறத்திலும் காணப்படுகின்றன.[4]
வேதிப்பண்புகள்
[தொகு]உருகியநிலை காரங்கள் தவிர அமிலங்கள் மற்றும் நீர்த்த காரக்கரைசல்கள் எதுவும் போரான் பாசுபைடை பாதிப்பதில்லை.[4]
இயற்பியல் பண்புகள்
[தொகு]போரான் பாசுபைடின் சில இயற்பியல் பண்புகள் இங்கே தரப்பட்டுள்ளன.
- அணிக்கோவை மாறிலி - 0.45383 நிமீ:[1][4]
- வெப்பவிரிவுக் குணகம் - 3.65×10−6 /°C (400 K)
- வெப்பக் கொண்மை - CP ~ 0.8 J/(g•K) (300 K)
- தெபாய் வெப்பநிலை = 985 K
- பருமக் குணகம் - 152 கிலோபாசுக்கல்
- நுண் கடினத்தன்மை – 100 கி எடைக்கு 32 கிலோபாசுக்கல்.
- மின்னணு மற்றும் மின்துளை நகர்திறன் சிலநூறு செமீ2/(வோல்ட்·செக்) (300 கெல்வின் வெப்பநிலைக்கு 500 மின்துளைகள் வரை)
மேற்கோள்கள்
[தொகு]- ↑ 1.0 1.1 1.2 Madelung, O. (2004). Semiconductors: Data Handbook. Birkhäuser. pp. 84–86. ISBN 978-3-540-40488-0.
- ↑ Popper, P.; Ingles, T. A. (1957). "Boron Phosphide, a III–V Compound of Zinc-Blende Structure". Nature 179: 1075. doi:10.1038/1791075a0.
- ↑ Moissan, H. (1891). "Préparation et Propriétés des Phosphures de Bore". Comptes Rendus 113: 726–729. http://visualiseur.bnf.fr/CadresFenetre?O=NUMM-3069&I=726&M=tdm.
- ↑ 4.0 4.1 4.2 Berger, L. I. (1996). Semiconductor Materials. CRC Press. p. 116. ISBN 978-0-8493-8912-2.
மேலும் படிக்க
[தொகு]- King, R. B., ed. (1999). Boron Chemistry at the Millennium. Elsevier Science & Technology. ISBN 0-444-72006-5.
- US patent 6831304, Takashi, U., "P-N Junction Type Boron Phosphide-Based Semiconductor Light-Emitting Device and Production Method thereof", issued 2004-12-14, assigned to Showa Denko
- Stone, B.; Hill, D. (1960). "Semiconducting Properties of Cubic Boron Phosphide". Physical Review Letters 4 (6): 282–284. doi:10.1103/PhysRevLett.4.282. https://archive.org/details/sim_physical-review-letters_1960-03-15_4_6/page/n10.