போரான் ஆர்சினைடு
 BAs
| |
 B12As2
| |
| இனங்காட்டிகள் | |
|---|---|
12005-69-5 
| |
| ChemSpider | 8461243 |
| பண்புகள் | |
| BAs or B12As2 | |
| வாய்ப்பாட்டு எடை | 85.733 கி/மோல் |
| அடர்த்தி | 5.22 கி/செ.மீ3, திண்மம் |
| உருகுநிலை | 2,027 °C (3,681 °F; 2,300 K) |
| கரையாது | |
| Band gap | 1.50 எலக்ட்ரான் வோல்ட்(BAs); 3.47 எலக்ட்ரான் வோல்ட்(B12As2) |
| தீங்குகள் | |
| ஈயூ வகைப்பாடு | N/A |
| தொடர்புடைய சேர்மங்கள் | |
| ஏனைய எதிர் மின்னயனிகள் | போரான் நைட்ரைடு போரான் பாஸ்பைடு போரான் ஆண்டிமோனைடு |
| ஏனைய நேர் மின்அயனிகள் | அலுமினியம் ஆர்சினைடு காலியம் ஆர்சினைடு இண்டியம் ஆர்சினைடு |
மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும் பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். | |
verify (இது: / ?)
| |
| Infobox references | |
போரான் ஆர்சினைடு (Boron arsenide) BAs என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டை உடைய வேதிச் சேர்மம் ஆகும். உபஆர்சினைடு B12As2 உட்பட வேறு பல போரான் ஆர்சினைடுகளும் அறியப்பட்டுள்ளன.[1]
பண்புகள்[தொகு]
இது தொகுதி III முதல் தொகுதி V வரையுள்ள தனிமங்களில் 0.477 நேனோமீட்டர் மதிப்புள்ள படிகக்கூடு மாறிலியையும், தோராயமாக 1.5 இலத்திரன் வோல்ட்டு மதிப்புள்ள மறைமுக பட்டை இடைவெளியையும் கொண்டுள்ள கன சதுர (இசுபாலரைட்டு) குறைக்கடத்தி ஆகும்.[2] இச்சேர்மமானது காலியம் ஆர்சினைடுடன் உலோகக்கலவையாக்க செயல்முறைக்குட்படுத்தப்பட்டு மூவிணைய மற்றும் நான்கிணைய குறைக்கடத்திகளைத் தருகிறது.[3] கனசதுர BAs ஆனது, 920 °செல்சியசு வெப்பநிலைக்கு அதிகமாக வெப்பப்படுத்தும் போது சிதைவடைந்து உபஆர்சினைடுகளைத் B12As2 தருகிறது.[4]
போரான் உபஆர்சினைடு[தொகு]
போரான் ஆர்சினைடு இருபதுமுக போரைடுகள் உள்ளிட்ட, உபஆர்சினைடுகளாகவும் B12As2 கிடைக்கின்றது. [1]இது R-3m வெளித் தொகுதியை சார்ந்த போரான் கொத்துகள் மற்றும் இரு அணு As-As தொடர் ஆகியவற்றை அடித்தளமாகக் கொண்டு சாய்சதுர அமைப்பைப் பெற்றுள்ளது. இது அகன்ற பட்டை இடைவெளியைக் கொண்ட (3.47 இலத்திரன் வோல்ட்) குறைக்கடத்தியாகும். இது தன்னைத்தானே கதிரியக்க பாதிப்பிலிருந்து சுயமாக சரிசெய்து கொள்ளும் அசாதாரணத் திறனைக் கொண்டுள்ளது.[5] இந்த வடிவமானது சிலிகான் கார்பைடுகள் போன்ற அடித்தளங்களின் மீது வளர்க்கப்படலாம்.[6]
பயன்பாடுகள்[தொகு]
போரான் ஆர்சினைடு சூரிய மின்கலம் புனைவுக்கான பொருளாகப் பயன்படுத்தப்பட முன்மொழியப்பட்டது. [3][7] இருப்பினும் தற்போது இச்சேர்மம் இந்நோக்கத்திற்காக பயன்படுத்தப்படவில்லை.
கப்பற்படை ஆய்வு சோதனைக்கூடம் மற்றும் பாஸ்டன் கல்லூரியினர் இணைந்த குழுவானது கனசதுர போரான் ஆர்சினைடின் கணக்கிடப்பட்ட வெப்ப கடத்துத்திறனானது குறிப்பிடத்தக்க அளவிற்கு அதிகமாக இருந்ததாக கண்டறிந்தது. அறை வெப்பநிலையில், இதன் வெப்ப கடத்துத்திறனானது, κ, 1000 வாட்டு/(மீ•கெல்வின்), என்ற அளவில், வைரம் மற்றும் கிராஃபைட்டுடன் ஒப்பிடக்கூடிய அளவாகவும், உயர் வெப்பநிலைகளில் வைரத்தின் வெப்ப கடத்துதிறனை மிஞ்சுவதாகவும் ஆய்வாளர்கள் எல்.லிண்ட்சே, டி.ஏ.பிரோயிடோ மற்றும் டி.எல். ரெய்னெக் ஆகியோர் தெரிவித்துள்ளனர். [8][9]
மேற்கோள்கள்[தொகு]
- ↑ 1.0 1.1 "Semiconductor Research". University Bristol, Applied Spectroscopy Group. Archived from the original on 2014-02-01.
- ↑ Hart, G. L. W.; Zunger, A. (2000). "Electronic Structure of BAs and Boride III-V Alloys". Physical Review B 62 (20): 13522–13537. doi:10.1103/PhysRevB.62.13522.
- ↑ 3.0 3.1 J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, S. R. Kurtz, R. C. Reedy, A. B. Swartzlander, B. M. Keyes, and A. G. Norman, "BGaInAs alloys lattice matched to GaAs," Applied Phys. Lett. 76, No. 11, 13 Mar. 2000.
- ↑ T. L. Chu and A. E. Hyslop, J. Electrochem. Soc., Vol. 121, 412 (1974).
- ↑ M. Carrard, D. Emin, and L. Zuppiroli, Phys. Rev. B, Vol. 51, 11270 (1995).
- ↑ Chen, H.; Wang, G.; Dudley, M.; Xu, Z.; Edgar, J. H.; Batten, T.; Kuball, M.; Zhang, L. et al. (2008). "Single-Crystalline B12As2 on m-plane (1-100)15R-SiC". Applied Physics Letters 92 (23): 231917. doi:10.1063/1.2945635.
- ↑ Boone, J. L. and Vandoren, T. P., Boron arsenide thin film solar cell development, Final Report, Eagle-Picher Industries, Inc., Miami, OK. abstract (retrieved May 15, 2014)
- ↑ Phys.org news, An unlikely competitor for diamond as the best thermal conductor, Jul 08, 2013 (retrieved May 15, 2014)
- ↑ First-principles determination of ultrahigh thermal conductivity of boron arsenide: A competitor for diamond?