தைட்டானியம் முச்சல்பைடு

தைட்டானியம் முச்சல்பைடு
Titanium trisulfide
பெயர்கள்
	வேறு பெயர்கள் தைட்டானியம்(IV) சல்பைடு
இனங்காட்டிகள்
சிஏஎசு எண்	12423-80-2
ChemSpider	50645119
	InChI InChI=1S/3S.Ti; Key: HOZYDKBKUUVYKD-UHFFFAOYSA-N; InChI=1S/S2.S.Ti/c1-2;;/q2*-2;+4; Key: KVFIBOBJNNMQLV-UHFFFAOYSA-N;
யேமல் -3D படிமங்கள்	Image; Image
	SMILES [S][S].[S].[Ti]; [S-][S-].[S-2].[Ti+4];
பண்புகள்
மூலக்கூறு வாய்பாடு	TiS3
வாய்ப்பாட்டு எடை	144.062 கி/மோல்
தோற்றம்	கருப்பு நிற நுண்படிக இழைகள்
Band gap	1 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு (மறைமுகம்)
எதிர்மின்னி நகாமை	80 cm2/(V·s)
கட்டமைப்பு
படிக அமைப்பு	Monoclinic, mP8
புறவெளித் தொகுதி	P21/m, No. 11
Lattice constant	a = 0.4973 நானோமீட்டர், b = 0.3443 நானோமீட்டர், c = 0.8714 நானோமீட்டர்
படிகக்கூடு மாறிலி
	மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும்; பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும்.
	Infobox references

தைட்டானியம் முச்சல்பைடு (Titanium trisulfide) என்பது TiS₃ என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிம வேதியியல் சேர்மமாகும். தைட்டானியமும் கந்தகமும் சேர்ந்து இச்சேர்மம் உருவாகிறது. இதன் வாய்பாட்டு அலகில் ஒரு Ti⁴⁺ நேர்மின் அயனியும், ஒரு S²⁻ எதிர்மின் அயனி மற்றும் ஒரு S₂²⁻ அயனிகள் உள்ளன.

TiS₃ ஓர் அடுக்கு படிக அமைப்பைக் கொண்டுள்ளது. இந்த அடுக்குகள் ஒன்றுக்கொன்று பலவீனமாக பிணைக்கப்பட்டுள்ளன. ஒரு பிசின் நாடாவைக் கொண்டு இதை அடை அடையாக உரித்தெடுக்கலாம். உரித்தெடுத்த இச்செதில்கள் அதிமெல்லிய திரிதடையங்களில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன.^[2]

தயாரிப்பு[தொகு]

நுண்படிக இழை அளவிலான தைட்டானியம் முச்சல்பைடை 500 பாகை செல்சியசு வெப்பநிலையில் அதிகப்படியான கந்தகத்தை கடத்தும் வாயுவாகப் பயன்படுத்தி வேதியியல் ஆவி போக்குவரத்து முறை மூலம் படிகமாக வளர்க்கலாம்.^[1]^[2]

பண்புகள்[தொகு]

TiS₃ சேர்மத்தின் அடுக்கு கட்டமைப்பை வெளிப்படுத்தும் எலக்ட்ரான் கடத்தும் நுண்பொறி வரைபடம்

தைட்டானியம் முச்சல்பைடு 1 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு மறைமுக ஆற்றல் இடைவெளி கொண்ட n-வகை குறைக்கடத்தி ஆகும்.^[2] இதன் தனி அடுக்குகள் TiS அணுச் சங்கிலிகளால் ஆனவை. எனவே இவை திசையொவ்வா பண்புகளைக் கொண்டுள்ளது. இவற்றின் பண்புகள் சமதளத்தில் உள்ள நோக்குநிலையைப் பொறுத்து அமைகிறது. எடுத்துக்காட்டாக, இதே மாதிரியில், எலக்ட்ரான் இயக்கம் 80 செமீ²/(V·s) b-அச்சிலும், 40 செ.மீ²/(V·s) a-அச்சிலும் இருக்கின்றன.^[3]

மேற்கோள்கள்[தொகு]

↑ ^1.0 ^1.1 Gorochov, O.; Katty, A.; Le Nagard, N.; Levy-Clement, C.; Schleich, D.M. (1983). "Photoelectrochemical study of TiS₃ in aqueous solution". Materials Research Bulletin 18: 111–118. doi:10.1016/0025-5408(83)90178-2.
↑ ^2.0 ^2.1 ^2.2 ^2.3 Lipatov, Alexey; Wilson, Peter M.; Shekhirev, Mikhail; Teeter, Jacob D.; Netusil, Ross; Sinitskii, Alexander (2015). "Few-layered titanium trisulfide (TiS₃) field-effect transistors". Nanoscale 7 (29): 12291–12296. doi:10.1039/C5NR01895A. பப்மெட்:26129825. Bibcode: 2015Nanos...712291L.
↑ ^3.0 ^3.1 Wu, Kedi; Torun, Engin; Sahin, Hasan; Chen, Bin; Fan, Xi; Pant, Anupum; Parsons Wright, David; Aoki, Toshihiro et al. (2016). "Unusual lattice vibration characteristics in whiskers of the pseudo-one-dimensional titanium trisulfide TiS₃". Nature Communications 7: 12952. doi:10.1038/ncomms12952. பப்மெட்:27653671. Bibcode: 2016NatCo...712952W.

[str-1] 1.0 ^1.1 Gorochov, O.; Katty, A.; Le Nagard, N.; Levy-Clement, C.; Schleich, D.M. (1983). "Photoelectrochemical study of TiS₃ in aqueous solution". Materials Research Bulletin 18: 111–118. doi:10.1016/0025-5408(83)90178-2.

[str2-2] 2.0 ^2.1 ^2.2 ^2.3 Lipatov, Alexey; Wilson, Peter M.; Shekhirev, Mikhail; Teeter, Jacob D.; Netusil, Ross; Sinitskii, Alexander (2015). "Few-layered titanium trisulfide (TiS₃) field-effect transistors". Nanoscale 7 (29): 12291–12296. doi:10.1039/C5NR01895A. பப்மெட்:26129825. Bibcode: 2015Nanos...712291L.

[nat-3] 3.0 ^3.1 Wu, Kedi; Torun, Engin; Sahin, Hasan; Chen, Bin; Fan, Xi; Pant, Anupum; Parsons Wright, David; Aoki, Toshihiro et al. (2016). "Unusual lattice vibration characteristics in whiskers of the pseudo-one-dimensional titanium trisulfide TiS₃". Nature Communications 7: 12952. doi:10.1038/ncomms12952. பப்மெட்:27653671. Bibcode: 2016NatCo...712952W.

[1]

[2]

[3]