உள்ளடக்கத்துக்குச் செல்

இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு

கட்டற்ற கலைக்களஞ்சியமான விக்கிப்பீடியாவில் இருந்து.
இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு
பெயர்கள்
ஐயூபிஏசி பெயர்
இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு
Scandium nitride
வேறு பெயர்கள்
அசானிலிடின் இசுக்காண்டியம்
நைட்ரிடோ இசுக்காண்டியம்
இனங்காட்டிகள்
25764-12-9
ChemSpider 105117
EC number 247-247-2
InChI
  • InChI=1S/N.Sc
    Key: CUOITRGULIVMPC-UHFFFAOYSA-N
யேமல் -3D படிமங்கள் Image
பப்கெம் 117629
  • N#[Sc]
பண்புகள்
ScN
வாய்ப்பாட்டு எடை 58.963
அடர்த்தி 4.4 கி/செ.மீ3
உருகுநிலை 2,600 °C (4,710 °F; 2,870 K)
தீங்குகள்
GHS pictograms The exclamation-mark pictogram in the Globally Harmonized System of Classification and Labelling of Chemicals (GHS)
GHS signal word அபாயம்
H228
தொடர்புடைய சேர்மங்கள்
ஏனைய எதிர் மின்னயனிகள் இசுக்காண்டியம் பாசுபைடு
இசுக்காண்டியம் ஆர்சினைடு
இசுக்காண்டியம் ஆண்டிமோனைடு
இசுக்காண்டியம் பிசுமுத்தைடு
ஏனைய நேர் மின்அயனிகள் இட்ரியம் நைட்ரைடு
லித்துவேத்தியம் நைட்ரைடு
மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும்
பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும்.

இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு (Scandium nitride) என்பது ScN என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிம வேதியியல் சேர்மமாகும். இசுக்காண்டியம் நேர்மின் அயனியும் நைட்ரைடு எதிர்மின் அயனியும் சேர்ந்து உருவாகும் இந்த இருமச் சேர்மம் III-V மறைமுக ஆற்றல் இடைவெளி குறைக்கடத்தியாக வகைப்படுத்தப்படுகிறது. தங்குதன் படலத்தின் மீது பதங்கமாதல் மற்றும் மறு ஒடுக்கம் மூலம் இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு படிகங்களாக வளர்கிறது.[1] 0.451 நானோமீட்டரின் அடுக்கு குணக மாறிலியுடன் 0.9 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு மறைமுக ஆற்றல் இடைவெளியும் 2 முதல் 2.4 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டு வரையான நேரடி ஆற்றல் இடைவெளியும் கொண்ட ஒரு பாறை-உப்பு படிக அமைப்பை இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு கொண்டுள்ளது.[1][2] நைட்ரசன் வாயுவை இண்டியம்-இசுக்காண்டியம் உருகல் மூலம் கரைத்து இந்த படிகங்களை தயாரிக்க முடியும். மேக்னட்ரான் தெறிப்புப்பூச்சு போன்ற பிற படிவு முறைகளிலும் இப்படிகங்களை தயாரிக்க முடியும்.[2][3] சிலிக்கான் டை ஆக்சைடு (SiO2) அல்லது ஆபினியம் டை ஆக்சைடு (HfO2) அடி மூலக்கூறில் உள்ள குறைக்கடத்திகளுக்கு இசுக்காண்டியம் நைட்ரைடு ஒரு பயனுள்ள நுழைவாயிலாகும்.[4]

மேற்கோள்கள்

[தொகு]
  1. 1.0 1.1 Gu, Zheng; Edgar, J H; Pomeroy, J; Kuball, M; Coffey, D W (August 2004). "Crystal Growth and Properties of Scandium Nitride". Journal of Materials Science: Materials in Electronics 15 (8): 555–559. doi:10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c. 
  2. 2.0 2.1 Biswas, Bidesh; Saha, Bivas (2019-02-14). "Development of semiconducting ScN". Physical Review Materials 3 (2): 020301. doi:10.1103/physrevmaterials.3.020301. பன்னாட்டுத் தர தொடர் எண்:2475-9953. Bibcode: 2019PhRvM...3b0301B. http://dx.doi.org/10.1103/physrevmaterials.3.020301. 
  3. Zhang, Guodong; Kawamura, Fumio; Oshima, Yuichi; Villora, Encarnacion; Shimamura, Kiyoshi (4 August 2016). "Synthesis of Scandium Nitride Crystals from Indium–Scandium Melts". International Journal of Applied Ceramic Technology 13 (6): 1134–1138. doi:10.1111/ijac.12576. 
  4. Yang, Hyundoek; Heo, Sungho; Lee, Dongkyu; Choi, Sangmoo; Hwang, Hyunsang (13 January 2006). "Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO2 and HfO2". Japanese Journal of Applied Physics 45 (2): L83–L85. doi:10.1143/JJAP.45.L83. Bibcode: 2006JaJAP..45L..83Y.