உள்ளடக்கத்துக்குச் செல்

இண்டியம் ஆர்சினைடு ஆண்டிமோணைடு பாசுபைடு

கட்டற்ற கலைக்களஞ்சியமான விக்கிப்பீடியாவில் இருந்து.

இண்டியம் ஆர்சினைடு ஆண்டிமோனைடு பாசுபைடு (Indium arsenide antimonide phosphide) என்பது InAsSbP என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாடால் விவரிக்கப்படும் ஒரு குறைக்கடத்தி வேதிப்பொருளாகும்.

InAsSbP குறைக்கடத்தி சீரொளி கட்டமைப்புகளுக்கான தடுப்பு அடுக்குகளாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.[1]

InAsSbP அடுக்குகளை இண்டியம் ஆர்சனைடு, காலியம் ஆண்டிமோனைடு மற்றும் பிற பொருட்களின் மீது பல்லின நோக்குநிலையில் தூண்டப்பட்ட படிகவளர்ச்சி மூலம் வளர்க்கலாம்.[2] இவ்வுலோகக் கலவையின் அதிர்வு பண்புகள் இராமன் நிறமாலையியல் மூலம் ஆராயப்பட்டது. ஒளி மின்னணுவியல், இயந்திரவியல் பண்புகள், ஒலி அல்லது அதிர்வு ஆற்றலின் குவாண்டப் பண்புகள் மீதான அழுத்தத்தின் விளைவை ஆய்வு செய்யும் கோட்பாடுகளுக்கு இவ்வுலோகக் கலவை பயன்படுகிறது.[3]

இவற்றையும் காண்க

[தொகு]

மேற்கோள்கள்

[தொகு]
  1. Calculation of spatial intensity distribution of InAsSb/InAsSbP laser diode emission, L. I. Burov, A. S. Gorbatsevich, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, A. N. Imenkov and Yu. P. Yakovlev, Journal of Applied Spectroscopy, vol. 75 num. 6 805-809 எஆசு:10.1007/s10812-009-9128-8
  2. Raman scattering in InAsxSbyP1−x−y alloys grown by gas source MBE, K. J. Cheetham, A. Krier, I. I. Patel, F. L. Martin, J-S. Tzeng, C-J. Wu and H-H. Lin, J. Phys. D: Appl. Phys. vol. 44 num. 8 எஆசு:10.1088/0022-3727/44/8/085405
  3. Degheidy, A. R.; AbuAli, A. M.; Elkenany, Elkenany. B. (2021-05-18). "Phonon frequencies, mechanical and optoelectronic properties for $${\mathbf{InP}}_{{\mathbf{x}}} {\mathbf{As}}_{{\mathbf{y}}} {\mathbf{Sb}}_{{1 - {\mathbf{x}} - {\mathbf{y}}}}$$/In As alloys under the influence of pressure". Applied Physics A 127 (6): 429. doi:10.1007/s00339-021-04551-4.