தாண்டலம் நைட்ரைடு
 | |
 | |
| பெயர்கள் | |
|---|---|
| வேறு பெயர்கள்
தாண்டலம் ஒருநைட்ரைடு | |
| இனங்காட்டிகள் | |
12033-62-4  | |
| EC number | 234-788-4 |
InChI
| |
| யேமல் -3D படிமங்கள் | Image |
| பப்கெம் | 83832 |
| |
| பண்புகள் | |
| TaN | |
| வாய்ப்பாட்டு எடை | 194.955 கி/மோல் |
| தோற்றம் | கருப்பு நிறப் படிகங்கள் |
| அடர்த்தி | 14.3 கி/செ.மீ3 |
| உருகுநிலை | 3,090 °C (5,590 °F; 3,360 K) |
| கரையாது | |
| கட்டமைப்பு | |
| படிக அமைப்பு | அறுகோணம், hP6 |
| புறவெளித் தொகுதி | P-62m, No. 189 |
| தீங்குகள் | |
| தீப்பற்றும் வெப்பநிலை | எளிதில் தீப்பற்றாது |
| தொடர்புடைய சேர்மங்கள் | |
| ஏனைய நேர் மின்அயனிகள் | வனேடியம் நைட்ரைடு நையோபியம் நைட்ரைடு |
வேறுவிதமாகக் கொடுக்கப்பட்டிருந்தாலன்றி
தரவுகள் பொருள்களின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25 °C [77 °F], 100 kPa) கொடுக்கப்பட்டுள்ளன. | |
தாண்டலம் நைட்ரைடு (Tantalum nitride) TaN என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாடு கொண்ட ஒரு கனிம வேதியியல் சேர்மமாகும். இச்சேர்மம் சில சமயங்களில் தாமிர உலோகம் அல்லது பிற கடத்தும் உலோகங்களின் அடுக்குகளுக்கு இடையில் தடை அல்லது பசை அடுக்குகள் உருவாக்கவும் மற்றும் மின்கடத்தாப்பொருள் காப்பி படலங்களான வெப்ப ஆக்சைடுகளாகவும் பயன்படுத்தப்படுகிறது.தொகுப்பு மின்சுற்றுகள் தயாரிக்கும் பொழுது சிலிக்கான் மீது சீவலகளாக இம்மென்படலங்கள் படிகின்றன. மென்படலமேற்றப்பட்ட மேற்பரப்பு தடையிகள் உருவாக்கவும் மற்றும் சில மின்னணு பயன்பாடுகளையும் இச்சேர்மம் கொண்டுள்ளது.[1]
மேற்கோள்கள்
[தொகு]- ↑ Akashi, Teruhisa (2005). "Fabrication of a Tantalum-Nitride Thin-Film Resistor with a Low-Variability Resistance" (PDF). Retrieved 2006-09-02.