இண்டியம்(III) செலீனைடு
பெயர்கள் | |
---|---|
ஐயூபிஏசி பெயர்
இண்டியம்(III) செலீனைடு
| |
வேறு பெயர்கள்
இண்டியம் செலீனைடு, இண்டியம் செசுகியுசெலீனைடு
| |
இனங்காட்டிகள் | |
12056-07-4 | |
பப்கெம் | 166055 |
பண்புகள் | |
In2Se3 | |
வாய்ப்பாட்டு எடை | 466.516 கி/மோல் |
தோற்றம் | கருப்புநிற படிகத் திண்மம் |
அடர்த்தி | 5.80 கி/செ.மீ³ |
மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும் பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். | |
இண்டியம்(III) செலீனைடு (Indium(III) selenide) என்பது In2Se3 என்ற மூலக்கூற்று வாய்ப்பாட்டால் விவரிக்கப்படும் ஒரு கனிம வேதியியல் சேர்மமாகும். இண்டியம் மற்றும் செலீனியம் தனிமங்கள் சேர்ந்து உருவாகும் இச்சேர்மம் ஒளிமின்னழுத்த சாதனங்களில் பயன்படுத்துவதற்கான சாத்தியக்கூறுகளைக் கொண்டுள்ளது. மேலும் விரிவான ஆராய்ச்சிகளுக்கும் இச்சேர்மம் உட்பட்டுள்ளது. α மற்றும் β நிலையிலுள்ள பொதுவான இரண்டு வடிவங்கள் அடுக்கு கட்டமைப்பு படிகங்களாகவும் γ வடிவம் ஊர்ட்சைட்டு படிகக் கட்டமைப்பிலும் காணப்படுகின்றன. ஒட்டு மொத்தமாக α, β, γ, δ, κ என்ற ஐந்து நிலைகளில் இண்டியம்(III) செலீனைடு அறியப்படுகிறது. [1] α- β நிலை மாற்றம் பொதுவாக ஒரு மின் கடத்துத்திறன் மாற்றத்துடன் சேர்ந்து நிகழ்கிறது. [2] γ- In2Se3 சேர்மத்தின் ஆற்றல் இடைவெளி தோராயமாக 1.9 எலக்ட்ரான் வோல்ட்டுகளாகும். ஓர் இண்டியம்(III) செலீனைடு மாதிரியின் படிக வடிவம் உற்பத்தி செய்யும் முறையைப் பொறுத்து அமைகிறது. எடுத்துக்காட்டாக, தூய்மையான γ-In2Se3 நிலையின் மெல்லிய படங்கள் உலோகக்கரிம நீராவிப் படிவு நுட்பங்களைப் பயன்படுத்தி மும்மெத்தில் இண்டியம் (InMe3) மற்றும் ஐதரசன் செலீனைடு ஆகியவற்றைப் பயன்படுத்தி தயாரிக்கப்படுகிறது. [3]
மேலும் காண்க
[தொகு]மேற்கோள்கள்
[தொகு]- ↑ Crystal structure of κ-In2Se3. Jasinski, J.; Swider, W.; Washburn, J.; Liliental-Weber, Z.; Chaiken, A.; Nauka, K.; Gibson, G. A.; Yang, C. C. Applied Physics Letters, Volume 81, Issue 23, id. 4356 (2002) எஆசு:10.1063/1.1526925
- ↑ Some Electrical and Optical Properties of In2Se3 D. Bidjin, S. Popovi , B. Elustka Physica Status Solidi A Volume 6, Issue 1 , Pages 295 – 299 எஆசு:10.1002/pssa.2210060133
- ↑ Growth of single-phase In2Se3 by using metal organic chemical vapor deposition with dual-source precursors Chang, K. J.; Lahn, S. M.; Chang, J. Y. Applied Physics Letters, Volume 89, Issue 18, id. 182118 (3 pages) (2006). எஆசு:10.1063/1.2382742 10.1063/1.2382742