காலியம் நைட்ரைடு
| |
| |
| பெயர்கள் | |
|---|---|
| ஐயூபிஏசி பெயர்
காலியம் நைட்ரைடு
| |
| இனங்காட்டிகள் | |
25617-97-4 
| |
| ChemSpider | 105057
|
InChI
| |
| யேமல் -3D படிமங்கள் | Image |
| பப்கெம் | 117559 |
| வே.ந.வி.ப எண் | LW9640000 |
SMILES
| |
| பண்புகள் | |
| GaN | |
| வாய்ப்பாட்டு எடை | 83.73 g/mol |
| தோற்றம் | மஞ்சள் பொடி |
| அடர்த்தி | 6.15 கி/செமீ3 |
| உருகுநிலை | >2500 °C[1] |
| எதிர்வினையாற்றும். | |
| Band gap | 3.4 eV (300 K, நேரடி) |
| எதிர்மின்னி நகாமை | 440 செமீ2/(V·s) (300 K) |
| வெப்பக் கடத்துத்திறன் | 2.3 W/(cm·K) (300 K) [2] |
| ஒளிவிலகல் சுட்டெண் (nD) | 2.429 |
| கட்டமைப்பு | |
| படிக அமைப்பு | Wurtzite |
| புறவெளித் தொகுதி | C6v4-P63mc |
| Lattice constant | a = 3.186 Å, c = 5.186 Å [3] |
| ஒருங்கிணைவு வடிவியல் |
நான்முக |
| தீங்குகள் | |
| தீப்பற்றும் வெப்பநிலை | Non-flammable |
| தொடர்புடைய சேர்மங்கள் | |
| ஏனைய எதிர் மின்னயனிகள் | காலியம் பாசுபைடு காலியம் ஆர்சினைடு காலியம் அன்டிமொனைடு |
| ஏனைய நேர் மின்அயனிகள் | போரான் நைட்ரைடு அலுமினியம் நைட்ரைடு இன்டியம் நைட்ரைடு |
| தொடர்புடைய சேர்மங்கள் | அலுமினியம் காலியம் ஆர்செனைடு இன்டியம் காலியம் ஆர்செனைடு காலியம் ஆர்செனைடு பாசுபைடு அலுமினியம் காலியம் நைட்ரைடு இன்டியம் காலியம் நைட்ரைடு |
மாறுதலாக ஏதும் சொல்லவில்லை என்றால் கொடுக்கப்பட்ட தரவுகள் யாவும் பொருள்கள் அவைகளின் இயல்பான வெப்ப அழுத்த நிலையில் (25°C, 100kPa) இருக்கும். | |
verify (இது: / ?)
| |
| Infobox references | |
காலியம் நைட்ரைடு (Gallium nitride, GaN) ஓர் இரும III/V நேர் ஆற்றல் இடைவெளி குறைக்கடத்தி ஆகும். இது 1990-களிலிருந்து ஒளியீரிகளில் பயன்படுத்தப்பட்டு வருகின்றது. 1990-களில் இந்தச் சேர்மம் மிகவும் கடினமான ஒரு திண்மப் பொருளாக, அதன் அணுக்கள், உவூர்ச்சைட்டு (Wurzite) அல்லது துத்தநாக சல்பைடு வகைப் படிகக் கட்டமைப்பைக் கொண்டுள்ளதாகக் கண்டுபிடிக்கப்பட்டது. இதன் பெரிய ஆற்றல் இடைவெளி, 3.4 eV, ஒளிமின்னியல் துறையில் பல கருவிகளை உருவாக்கக்கூடிய சிறப்புப் பண்புகளை வழங்குகிறது;[4][5] மிக உயிரிய ஆற்றலுடைய கருவிகளையும் மிக உயரிய அதிர்வெண் கருவிகளையும் உருவாக்க பயனாகின்றது. காட்டாக, GaN அடித்தளத்தைக் கொண்டு ஊதாநிற (405 நமீ) சீரொளி இருமுனையங்களை உருவாக்க இயலும்.
அயனியாக்கும் கதிர்களுக்கு இதன் உணர்திறன் குறைவாக இருப்பதால் (மற்ற குழு III நைட்ரைடுகளைப் போல), செயற்கைக்கோள்களுக்கான சூரிய மின்கல அணிகளுக்கு பொருத்தமான பொருளாக உள்ளது. மேலும் கதிர்வீச்சுள்ள சூழலில் நிலைத்திருப்பதால் படைத்துறை, விண்வெளி பயன்பாடுகளுக்கும் பயனுள்ளதாக இருக்கும்.[6] GaN திரிதடையங்கள் காலியம் ஆர்சினைடு (GaAs) திரிதடையங்களை விட மிக உயர்ந்த வெப்பநிலையிலும் மிக உயர்ந்த மின்னழுத்தங்களிலும் இயங்கக்கூடியமையால் நுண்ணலை அதிர்வெண்களில் இயங்கும் திறன் மிகைப்பிகளிலும் பயனாகின்றன.
பாதுகாப்பு[தொகு]
காலியம் நைட்ரைடு பொடியானது தோல், கண்கள் மற்றும் நுரையீரல்களில் எரிச்சலை உண்டாக்கும் தன்மை உடையது. காலியம் நைட்ரைடு மூலங்களின் பாதுகாப்பு, சூழல், உடல்நல பாதிப்பு குறித்த ஆய்வுகள் அண்மையில் வெளிவந்துள்ளன.[7]
திரள் காலியம் நைட்ரைடு நச்சுத்தன்மை அற்றது; உயிரிகளுடன் இயைந்தது.[8] எனவே இவற்றை வாழும் உயிரினங்களின் உடலுக்குள்ளே பதிக்கப்படும் மின்னணுவியல் கருவிகளிலும் மின்முனையங்களிலும் பயன்படுத்தலாம்.
மேலும் காண்க[தொகு]
வெளி இணைப்புகள்[தொகு]
- Ioffe data archive
- National Compound Semiconductor Roadmap பரணிடப்பட்டது 2009-07-19 at the வந்தவழி இயந்திரம் page at ONR
மேற்சான்றுகள்[தொகு]
- ↑ Harafuji, Kenji; Tsuchiya, Taku; Kawamura, Katsuyuki (2004). "Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal". Appl. Phys. 96 (5): 2501. doi:10.1063/1.1772878. Bibcode: 2004JAP....96.2501H.
- ↑ Mion, Christian (2005). "Investigation of the Thermal Properties of Gallium Nitride Using the Three Omega Technique", Thesis, North Carolina State University.
- ↑ Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30
- ↑ எஆசு:<81::AID-PSSA81>3.0.CO;2-N 10.1002/1521-396X(200101)183:1<81::AID-PSSA81>3.0.CO;2-N
This citation will be automatically completed in the next few minutes. You can jump the queue or expand by hand - ↑ எஆசு:10.1109/JSTQE.2002.801675
This citation will be automatically completed in the next few minutes. You can jump the queue or expand by hand - ↑ Lidow, Alexander; Witcher, J. Brandon and Smalley, Ken (March 2011). "Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN) FET Characteristics under Long Term Stress" (PDF). GOMAC Tech Conference.
{{cite web}}: CS1 maint: multiple names: authors list (link) - ↑ எஆசு:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007
This citation will be automatically completed in the next few minutes. You can jump the queue or expand by hand - ↑ Shipman, Matt and Ivanisevic, Albena (24 அக்டோபர் 2011). "Research Finds Gallium Nitride is Non-Toxic, Biocompatible – Holds Promise For Biomedical Implants". North Carolina State University